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BALLUFF傳感器BES 516-3047-G-E4-C-PU-02 由霍爾效應的原理知，霍爾電勢的大小取決于：Rh為霍爾常數(shù)，它與半導體材質有關； IC為霍爾元件的偏置電流；B為磁場強度；d為半導體材料的厚度。對于一個給定的霍爾器件 ，當偏置電流Ic固定時，Vh將*取決于被測的磁場強度B。

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